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行业应用
凸点封装工艺 晶圆级扇出封装 2.5D及3D封装技术 IGBT功率模块封装
凸点封装工艺
Bumping是在晶圆上制作凸点或者微凸点,实现芯片和PCB或者基板的电气联接,在WLCSP,FC及FO工艺中被广泛使用。 晶圆碰撞对于倒装芯片或板级半导体封装是必不可少的。碰撞是一种先进的晶圆级工艺技术,在晶圆被切割成单个芯片之前,在晶圆上形成由焊料制成的“凸起”或“球”。这些“凸起”可以由共晶,无铅,高铅材料或晶圆上的铜柱组成,是将芯片和基板互连成单个封装的基本互连组件。这些凸点不仅提供了芯片和衬底之间的连接路径,而且在倒装芯片封装的电气、机械和热性能中起着重要作用。
工艺流程
晶圆准备: 首先,选择合适的晶圆作为基材,通常选择硅基片作为晶圆。 对晶圆进行清洁和表面处理,以确保凸点能够良好地附着。 凸点形成: 金属化:在晶圆表面通过物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等技术,沉积一层金属膜,如铜、镍、锡等。这一步骤被称为金属化,为后续形成焊点做准备。 光刻:通过在金属化层上涂覆光刻胶,然后通过光刻曝光、显影等步骤,形成光刻图形,即将焊球位置的图形暴露出来。 蚀刻:使用酸性或碱性溶液对未被光刻保护的金属层进行蚀刻,形成焊球的基础。 焊球形成:在暴露的金属基础上,通过电镀或其他方法,沉积焊球材料(通常是锡合金)来形成微小的焊球。 芯片接合: 将经过凸点形成的晶圆与芯片进行接合,通常采用焊接等技术,将芯片的金属引脚与焊球连接起来。 封装和测试: 将接合完成的芯片放置在PCB或其他基板上,并使用封装工艺将其封装起来。 完成封装后,对芯片进行测试,以确保焊点连接的质量和可靠性。
特点
高密度:Bumping技术可以在相对小的区域内实现大量的连接,适用于高密度集成电路。 高可靠性:由于焊点与基板的连接相对稳固,Bumping技术具有良好的机械强度和抗震动性。 适用范围:Bumping技术可用于多种封装类型,包括WLCSP、FC和FO等。
应用领域
Bumping技术在电子行业中广泛应用,特别是在需要高性能、高可靠性连接的芯片封装中,如微处理器、存储器、传感器等。 它也被广泛应用于手机、平板电脑、智能手表、汽车电子等消费电子产品以及航空航天、医疗设备等高端领域。
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