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Titan VF 850M
随着封装密度的提升,在underfill (UF) 和die attach film (DAF)中的气泡对封装产品的性能和可靠性产生的愈来愈严重的影响。 可控高压高温工艺可以有效去除UF和DAF中的气泡。 调整温度改变材料的流动性,同时配合真空去除大体积的气泡。 再根据材料的特性,施加高压和提高固化温度将细小的气泡溶解在胶体内部并且固化,达到去除气泡固化材料的目的
    技术指标应用领域
技术指标
  • Function
    ltems
    Spec
  • 压力
    最高压力 压力调节
    15kgf -0.9kgf ~15kgf
  • 温度
    最高温度 加热模式 温度控制 温度均匀性 最高升温速率 最高降温速率
    220℃ (MAX) 气体对流循环 PID 实时控制 升温阶段<+/-5℃,稳定状态=<+/-3℃ >=8℃/min(PID连续可控) 5℃/min(PID连续可控)
  • O2 浓度
    O2 LM1 O2 LM2
    100 ppm <50 ppm
  • 洁净度
    空间颗粒度
    Class 1000
  • 控制及数据处理
    MES Log 互锁 菜单
    MES Interface (option) 实时工艺参数显示及全套数据保存 PC及PLC安全及工艺互锁 表单式菜单编辑
  • 腔体结构
    有限元强度分析 上下料
    >1.6Mpa 手动
  • 设备性能
    Uptime MTTR MTBF
    >=95% <=4hrs >=240hrs
应用领域

* 芯片的先进封装中任何UF的处理,

* 多层存储芯片叠层封装中DAF/FOW等材料的热处理

* 功率模组封装中芯片的reflow焊接,通过真空与高压处理,获得优良的芯片焊接效果

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