半导体中的薄膜沉积设备主要分为两部分，物理气相沉积设备（PVD)和化学气相沉积设备（CVD)。PVD设备主要通过热蒸发或者磁控溅射的方式，将固态体材料转化成原子或者离子的方式沉积在晶圆表面。设备需要对电场、磁场及热场的分布具有很高的要求。CVD设备通过不同气体进入设备腔体内进行反应从而生成不同厚度和性质的薄膜。CVD的反应种类繁多，有热式l CVD，有等离子体 CVD，特别是带有等离子体的CVD，其对等离子体的产生控制具有很高的要求。